GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
作者:标准资料网 时间:2024-05-04 20:29:38 浏览:9958
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基本信息
| 标准名称： | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 |
| 英文名称： | Extrinsic semiconductor single crystals; Measurement of Hall mobility and Hall coefficient |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | |
| 替代情况： | 被GB/T 4326-2006代替 |
| 发布部门： | 国家标准局 |
| 发布日期： | 1984-04-12 |
| 实施日期： | 1985-03-01 |
| 首发日期： | 1984-04-12 |
| 作废日期： | 2006-11-01 |
| 主管部门： | 中国有色金属工业协会 |
| 归口单位： | 中国有色金属工业协会 |
| 起草单位： | 有色金属研究总院 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 11页 |
适用范围
本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数，因此本标准也分别适用于这些参数的测量。本方法仅在有限的范围内和对锗、硅和砷化镓进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料。所述的测量技术至少适用于室温电阻率高达104Ωcm的试样。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法
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